杨成刚，男，彝族，1965年10月出生于贵州大方县。他在1989年毕业于贵州大学物理系半导体物理与器件专业，获得学士学位。杨成刚是一位高级工程师和PMP认证持有者。
在校期间，连年被评为校级三好学生。毕业后，分配到中国振华电子工业公司国营第四四三三厂工作，主要从事半导体集成电路和混合集成电路方面的科研工作。进厂后，他致力于光刻工艺的研究，采用直接光刻工艺代替机械掩模蒸发工艺，进行分步光刻选择刻蚀来形成薄膜无源网络，其最小间距或带宽可达10um左右，使集成度大大提高，适用于大批量生产，为后来的高尖端新产品的研制和生产奠定了基础。曾参与该厂军工器件FX0032超高速FET运算放大器、FX0002电流放大器、FX8510功率运算放大器、FH8048对数放大器、FX3290BiMOS双电压比较器等的研制，并取得成功。
《半导体热敏电阻的温敏特性在对数放大器中的应用》《阳极氧化铝工艺在薄膜混合集成电路中的应用》《 Ni－Cr薄膜电阻在对数放大器中的应用》、《FX3290BiMOS双电压比较器的研制》《铝导带薄膜混合集成电路工艺的研究》等。
1995年被贵州省国防工业工会和贵州省国防科技工业办公室评为「1994年度企业走向市场立功竞赛先进个人」荣誉。
所承担的科研项目《100MHZ高频宽带集成运算放大器》于2000年荣获贵州省科技进步三等奖。
截至2012年，在集成电路领域拥有多个发明专利和实用新型专利。在企业管理、流程管理、品质管理、研发管理、项目管理、微电子技术等领域具有一定的专长。